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怀旧经典:微软windows是怎么成为主流的 2006-09-19 20:57
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1981年,微软开始了“界面管理器”(Interface Manager)的开发,它就是后来的Windows。虽然是Windows的前身,“界面管理器”中却没有一个“Window”,而是纯粹用字符堆砌起来的。尽管简陋之极,但是微软想让计算机“更易用”的理念已现雏形。 '瓱H綋裁
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   由于年代过于久远,“界面管理器”的屏幕截图已经很少,而且都不是很清晰,如果不加提示,很多人会把它当成DOS。这也难怪,如果Windows刮刮坠地的时候就长着一副改变世界的面孔,Windows就不会有今天——那时候的软件巨头随便动动手指Windows就要夭折,因为,如果你觉得今天的微软中的“微”字有点名不符实,但是在那个时候,微软是地地道道的“微”软。
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说是windows其实还是DOS #d后祕鸻
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内存技术术语不完全手册 2006-09-19 20:54
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Access Time @:I葫/饸
  Access Time(存取时间),RAM 完成一次数据存取所用的平均时间(以纳秒为单位)。存取时间等于地址设置时间加延迟时间(初始化数据请求的时间和访问准备时间)。 7I竡-[{
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 Address ; 0=矍裘
  Address(地址),就是内存每个字节的编号。目的是按照该编号准确地到该编号的内存去存取数据 穁I糀L鷑痣
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 Async SRAM %盉}圱Q_"
  Async SRAM(异步静态内存),一种较为陈旧的SRAM,通常用来做电脑上的Level 2 Cache。 踱纔0;
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 Bandwidth @僤X0%
  Bandwidth (带宽) 1、传输数据信息的能力。信息交换的形式多种多样,可以通过但根电线,也可以通过总线或信道的并行线。一言以蔽之,就是单位时间内数据的移动量,通常用位 / 秒、字节/秒或赫兹(周/秒)表示。 2、内存的数据带宽:一般指内存一次能处理的数据宽度,也就是一次能处理若干位的数据。30线内存条的数据带宽是8位,72线为32位,168线可达到 64位 觡 
  屾捙::e;
 Bank 樏omqJ
  Bank (内存库) 在内存行业里,Bank至少有三种意思,所以一定要注意。 1、在SDRAM内存模组上,"bank 数"表示该内存的物理存储体的数量。(等同于"行"/Row) 2、Bank还表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。(现在通常是4个bank)。 3、它还表示DIMM 或 SIMM连接插槽或插槽组,例如bank 1 或 bank A。这里的BANK是内存插槽的计算单位(也叫内存库),它是电脑系统与内存之间数据总线的基本工作单位。只有插满一个BANK,电脑才可以正常开机。举个例子,奔腾系列的主板上,1个168线槽为一个BANK,而2个72线槽才能构成一个BANK,所以72线内存必须成对上。原因是,168线内存的数据宽度是64位,而72线内存是32位的。主板上的BANK编号从BANK0开始,必须插满BANK0才能开机,BANK1以后的插槽留给日后升级扩充内存用,称做内存扩充槽。 譀~摬耏Xn
  #儰儇Jl感
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 Bank Schema 估s关
  Bank Schema(存储体规划),一种图解内存配置的方法。存储体规划由若干用来表示电脑主板上的内存插槽的行或列组成。行表示独立的插槽;列代表bank数。 /W?|Z&
  RK磶蓪R│
 BEDO [鮏至茂
  BEDO (Burst EDO RAM) -突发模式EDO随机存储器,BEDO内存能在一个脉冲下处理四个内存地址。形象地说,它一次可以传输一批数据。总线的速度范围从50MHz 到 66MHz (与此相比,EDO内存速度是33MHz,FPM内存的速度是25MHz)。 蟉錙絕*+
  飗>G%
 BGA封装技术 綡>tLB
  BGA (Ball Grid Array)-球状引脚栅格阵列封装技术,高密度表面装配封装技术。在封装的底部,引脚都成球状并排列成一个类似于格子的图案,由此命名为BGA。目前的主板控制芯片组多采用此类封装技术,材料多为陶瓷。 擔侸4┌
  -2_暠湔
 BLP H掜遡,*
  BLP-底部引出塑封技术,新一代内存芯片封装技术,其芯片面积与封装面积之比大于1:1.1,符合CSP封装规范。此类内存芯片不但高度和面积小,而且电气特性也得到了提高。 KD$軚呱L
  b67畞0
 Buffer ㎡E&末觋?l
  Buffer-缓冲区,一个用于存储速度不同步的设备或优先级不同的设备之间传输数据的区域。通过缓冲区,可以使进程之间的相互等待变少,从而使从速度慢的设备读入数据时,速度快的设备的操作进程不发生间断。 丸0誄
  蔄守裊4
 Buffered Memory 駲敟楧哛輲
  Buffered Memory,带有缓存的内存条。缓存能够二次推动信号穿过内存芯片,而且使内存条上能够放置更多的内存芯片。带缓存的内存条和不带缓存的内存条不能混用。电脑的内存控制器结构,决定了该电脑上带缓存的内存还是上不带缓存的内存。 i Z
   @.搱pペ
 CAS げd4袢
  CAS (Column Address Strobe)-列地址选通脉冲,在内存的寻址中,锁定数据地址需要提供行地址和列地址,行地址的选通由RAS控制,列地址的选通由CAS决定。 龢B齨cn
  Y6哩〡[
 CAS Latency 涀/嬬O
  列地址选通脉冲时间延迟,CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写,指的是内存存取数据所需的延迟时间,简单的说,就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小,代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中,这个数值规定为3,而在Intel重新制订的新规范中,强制要求CL的反应时间必须为2,这样在一定程度上,对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高,同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时,这是一个不可不察的因素。 -5棶9
  j穋f祦僅o
 CF卡 -8<臮[D<
 一种袖珍闪存卡,(compact flash card)。像pc卡那样插入数码相机,它可用适配器,(又称转接卡),使之适应标准的pc卡阅读器或其他的pc卡设备。 %泎Oh燬1Y
  椄(C('汀
 cf存储卡的部分结构采用强化玻璃及金属外壳,cf存储卡采用standard ata/ide接口界面,配备有专门的pcm-cia适配器(转接卡),笔记本电脑的用户可直接在pcmcia插槽上使用,使数据很容易在数码相机与电脑之间传递。 妋|禟庸T
  戛狌仙4
 Checksum xF<(褮
  Checksum-检验和,校验和。在数据处理和数据通信领域中,用于校验目的的一组数据项的和。这些数据项可以是数字或在计算检验和过程中看作数字的其它字符串。 EM|胐,
  |;鼎t鳉|+
 Compact Flash %赉;潣襘
  Compact Flash(紧凑式闪存),一种结构轻小的存储器,用于可拆卸的存储卡。CompactFlash 卡持久耐用,工作电压低,掉电后数据不丢失。应用范围包括:数码相机、移动电话、打印机、掌上电脑、寻呼机,以及录音设备。 .鲤a(闤|M
  谭]緬1
 C-RIMM 6A渡屛带
  Continuity RIMM (C-RIMM)-连续性总线式内存模组,一种不带内存芯片的直接总线式内存模组(Direct Rambus)。C-RIMM 为信号提供了一个连续的通道。在直接总线式内存系统中,开放的连接器必须安装C-RIMM。 x专f湃vr
  0逑碎
 CSP 徟%u'呰
  Chip-Scale Package(芯片级封装),薄芯片封装,其电路连接通常是采用BGA(球状引脚格状阵列)。这种封装形式一般用于RDRAM(总线式动态内存)和 flash memory(闪存)。 W?鞆謮8轪
  "膣囐Dj,
 CSRAM R垀)崪9rI
  同Pentium II Xeron匹配的一种高速缓存,容量为512KB。 HV1t氰
  蹫))6!
 DDP电路 '劎2
  DDP(Double Detect and Protect:二重探测与保护),它可以使Space对输入的信号不再重复处理,同时对声音的频率和方向进行探测,而且自动调整,得到最佳的效果。 >噢 橫趯
  赳峎卅)
 DDR <咻l,霾!Y
  DDR(Dual Data Rate SDRSM)是最新的内存标准之一,在系统时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输,因此即使在133MHz的总线频率下,带宽也能达到约2.1GB/S,为SDRAM的的两倍左右。 *蓙wIn癌惥
  L鍖趍
 DDR SDRAM >眎#2
  DDR 是双倍数据速率(Double Data Rate)。从名称上可以看出,这种内存在技术上,与SDRAM有着密不可分的关系,事实上,DDR内存就是SDRAM内存的加强版。它主要是利用时钟脉冲的上升沿与下降沿传输数据,相当于原来两倍的频率的工作效率。 DDR只是对SDRAM技术做了一些加强,所以生产SDRAM的生产线极容易改建于DDR的生产。不过DDR内存为保持较高的数据传输率,电气信号必须要求能较快改变,因此采用了2.5伏的SSTL2标准,其管脚数为184线,与SDRAM在主板上无法实现兼容。 DDR SDRAM有着先天性的优势,因此,取代SDRAM只是时间上的问题,相信随着DDR内存体系的愈加成熟,与SDRAM体系结构间的性能会越拉越大,那时也正是DDR全面铺进千家万户的时刻。 糒捍}P命
  fs糧漕
 DDR内存 乖&9Rw
  DDR (Dual date rate) SDRAM 称为"双倍速率SDRAM",在133MHz的前端总线频率下,带宽可达2.128GB/S。它的工作原理是其能在控制时钟触发沿的上、下沿都能进行数据传输(而SDRAM只在控制时钟的下降沿进行数据传输),因此在一次控制信号过程中,DDR SDRAM能进行两次的数据交换,这也就是它为什么又如此高的带宽。 蘉J 芨v痷y
  栁m -]
 DIMM 搲L 謘
  Dual -Inline-Menory-Modules,即双列直插式存储模块。这是在奔腾CPU推出后出现的新型内存条,DIMM提供了64位的数据通道,因此它在奔腾主板上可以单条使用。它有168条引脚,故称为168线内存条。它要比SIMM插槽要长一些,并且它也支持新型的168线EDO-DRAM存储器。就目前而言,适用DIMM的内存芯片的工作电压一般为3.3V(使用EDORAM内存芯片的168线内存条除外),适用于SIMM的内存芯片的工作电压一般为5V(使用EDORAM或FBRAM内存芯片),二者不能混合使用。 &,.!
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 DIMM p/蹉p龙Y'
  DIMM (Dual In-line Memory Modules),双边接触内存模组。也就是说这种类型接口内存的插板两边都有数据接口触片,这种接口模式的内存广泛应用于现在的计算机中,通常为84 针,由于是双边的,所以共有84×2=168线接触,所以人们常把这种内存称为168线内存。 惊.V綑{櫪R
  篢栴jx
 DIP /'鼷鹼{
  DIP (Dual In-line Package)-双列直插式封装,双入线封装,DRAM的一种元件封装形式。DIP封装的芯片可以插在插座里,也可以永久地焊接在印刷电路板的小孔上。在内存颗粒直接插在主板上的时代,DIP 封装形式曾经十分流行。 DIP还有一种派生方式SDIP(Shrink DIP,紧缩双入线封装),它比DIP的针脚密度要高6六倍。 % ?刟I嶖
  聘醶貨
 Direct Rambus 臮H_ReF
  Direct Rambus-直接总线式随机存储器,Rambus 技术的第三代产品,它为高性能的PC机提供了一种全新的DRAM 结构。现在的SDRAM在64-bit的宽带总线上速度只有100MHz;与此相对照,Direct Rambus在16-bit的窄通道上,其数据传输速度可高达800MHz。 鞗≥.*z
  H猵业Hf
 Direct RDRAM '餱b尳jE
  Direct RDRAM(直接总线式动态随机存储器),该设备的控制线和数据线分开,带有16位接口、带宽高达800 MHz,效率大于90% 。一条Direct RDRAM 使用两个8-bit 通道、工作电压2.5V ,数据传输率可达到1.6 GBps 。它采用一个分离的8位总线(用于地址和控制信号),并拓宽了8到16位或9到18位数据通道,时钟达到400 MHz ,从而在每个针(pin)800Mbps的情况下(共计1.6 GBS)使可用数据带宽最大化。 W菞穐槒i峫
  6U&tA!
 DMA lFQ勩侧
  它的意思是直接存储器存取,是一种快速传送数据的机制,DMA技术的重要性在于,利用它进行数据存取时不需要CPU进行干预,可提高系统执行应用程序的效率。利用DMA传送数据的另一个好处是,数据直接在源地址和目的地址之间传送,不需要是中间媒介。 3咔瘑 P
  浓鴔
 DRAM 键?xD妢
  动态内存。该内存中的内容在系统掉电时会完全丢失。DRAM中主要包含路由表,ARP缓存,fast-switch缓存,数据包缓存等。DRAM中也包含有正在执行的路由器配置文件。 * 揲浺n
  W5.yL篤=
 DRAM 滳E @继+U
  DRAM (Dynamic RAM),动态随机存储器。需要用恒电流以保存信息,一断电,信息即丢失。其接口多为72线的SIMM类型。虽然它的刷新频率每秒钟可达几百次,但是由于它采用同一电路来存取数据,所以存取时间有一定的间隔,导致了它的存取速度不是很快。在386、486时期被普遍应用。 `w欕藛啻
  .P=K棗;
 ECC 猶ㄑ韒uT
  ECC (Error Correcting Code)-错误更正码,纠错码。ECC是用来检验存储在DRAM中的整体数据的一种电子方式。ECC在设计上比parity更精巧,它不仅能检测出多位数据错误,同时还可以指定出错的数位并改正。通常ECC每个字节使用3个Bit来纠错,而parity只使用一个Bit。ECC另有一种解释是Error Checking 鳖寛莉岸
  禽cW桤
 ECC内存 U紣7N?廨濋
  全称Error Checkingand Correcting。它也是在原来的数据位上外加位来实现的。如8位数据,则需1位用于Parity检验,5位用于ECC,这额外的5位是用来重建错误的数据的。当数据的位数增加一倍,Parity也增加一倍,而ECC只需增加一位,当数据为64位时所用的ECC和Parity位数相同(都为。在那些Parity只能检测到错误的地方,ECC可以纠正绝大多数错误。若工作正常时,你不会发觉你的数据出过错,只有经过内存的纠错后,计算机的操作指令才可以继续执行。当然在纠错时系统的性能有着明显降低,不过这种纠错对服务器等应用而言是十分重要的,ECC内存的价格比普通内存要昂贵许多。 烠n)3
  Ua魄8馽偃
 EDO DRAM o k翸8O[
  EDO DRAM(Extended Data Output RAM),扩展数据输出内存。是Micron公司的专利技术。有72线和168线之分、5V电压、带宽32bit、基本速度40ns以上。传统的DRAM 和FPM DRAM在存取每一bit数据时必须输出行地址和列地址并使其稳定一段时间后,然后才能读写有效的数据,而下一个bit的地址必须等待这次读写操作完成才能输出。EDO DRAM不必等待资料的读写操作是否完成,只要规定的有效时间一到就可以准备输出下一个地址,由此缩短了存取时间,效率比FPM DRAM高20%—30%。具有较高的性/价比,因为它的存取速度比FPM DRAM快15%,而价格才高出5%。 r~鉼唴f
  ^8 溷艮
 EDORAM 崭6幦1f
  扩展数据输出内存。EDORAM是通过取消两个存储周期之间的时间间隔,来提高存取速率的。通常,在一个DRAM阵列中读取一个单元时,首先充电选择一行然后再充电选择一列,这些充电线路在稳定之前会有一定的延时,制约了RAM的读写速度。EDO技术假定下一个要读写的地址和当前的地址是连续的(一般是这样),在当前的读写周期中启动下一个读写周期,从而可将RAM速度提高约30%。但是,EDORAM仅适用于总线速度小于或等于66MHz的情况,是97 年最为流行的内存。 殔甉 聹
  韛憗荐Q
 EEPROM & +H'v
  EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息,重新编程。一般用在即插即用(Plug $;栃谽O
  g]=
 ESDRAM $*趚Gi
  ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM)-增强型同步动态内存,Enhanced Memory Systems, Inc 公司开发的一种SDRAM,带有一个小型的静态存储器。在嵌入式系统中, ESDRAM代替了SRAM(静态随机存储器),其速度与SRAM相当,但成本和耗电量却比后者低得多。 e 奪 雪斸
  揔 蜱壵梥n
 FLASH内存 w啥s嘆<b
  FLASH是一种可擦写、可编程的ROM,FLASH包含IOS及微代码。可以把它想象和PC机的硬盘功能一样,但其速度快得多。可以通过写入新版本和OS对路由器进行软件升级。FLASH中的程序,在系统掉电时不会丢失。 HdJ{惓
  >=LU衛僖
 FPM DRAM nJ;╬囲
  FPM DRAM(Fast Page Mode RAM): 快速页面模式内存。是一种在486时期被普遍应用的内存。72线、5V电压、带宽32bit、基本速度60ns以上。它的读取周期是从 DRAM阵列中某一行的触发开始,然后移至内存地址所指位置,即包含所需要的数据。第一条信息必须被证实有效后存至系统,才能为下一个周期作好准备。这样就引入了“等待状态”,因为CPU必须傻傻的等待内存完成一个周期。随着性能/价格比更高的EDO DRAM的出现和应用,它只好退出市场。 M協屽d /
  &揄離嵊撘
 Interleaving 尞荩E歂
  Interleaving(交叉存取技术),加快内存速度的一种技术。举例来说,将存储体的奇数地址和偶数地址部分分开,这样当前字节被刷新时,可以不影响下一个字节的访问。 #俌@:佒j
  ;柠縹7}[
 JEDEC U矩H
  JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council),电子元件工业联合会。JEDEC是由生产厂商们制定的国际性协议,主要为计算机内存制定。工业标准的内存通常指的是符合JEDEC标准的一组内存。 帨s a%鍖
  沘醸懦3揁
 MCH 蛬 Qb
  Memory Controller Hub (MCH)-内存控制中心,Intel 8xx(例如820或840)芯片组中用于控制AGP、CPU、内存(RDRAM)等组件工作的芯片。 劣*k憚\焓
  碊'~胂洆櫩
 MDRAM 襘`6 镺M=
  MDRAM (Multibank Dynamic RAM)-多BANK动态内存,MDRAM是MoSys公司开发的一种VRAM(视频内存),它把内存划分为32KB的一个个BANK(存储库),这些 BANK可以单独访问,每个储存库之间以高于外部的数据速度相互连接。其最大特色是具有"高性能、低价位"特性,最大传输率高达666MB/S,一般用于高速显卡。 s\虁y霼[
  -9E鈔筱_
 Micro BGA H/-
  Micro BGA (μBGA)-缩微型球状引脚栅格阵列封装,Tessera, Inc.公司开发的的一种BGA 芯片封装技术,主要用于高频工作的RDRAM。这种技术能把芯片尺寸做得更小,提高了散热性,使内存条的数据密度增大了。 亷)4煹
  9:L 飽3
 Non-Composite k阿9穂:昑
  苹果电脑的内存术语,表示一种采用了新技术的内存条。该内存条上的芯片颗粒很少,但数据密度却非常高。Non-composite 内存条比 composite 内存条工作更可靠,但价格也相对高。 :l裚
  R4=3凯扶
 PC100 屵m屋嬣Nw
  JEDEC 和Intel制定的一种SDRAM内存颗粒(或内存条)技术标准。其中100是指该内存能工作在前端总线(FSB)100MHz的系统中。当初,PC100规范是为配合INTEL推出BX芯片组制定的准则,其规范条款很多,但主要有以下几点: 1、TCK(CLOCK、CYCLE、TIME)内存时钟周期,在100MHZ外频工作时值为10ns; 2、TAC(ACCESS TIME FRONCLK)存取时间小于6ns; 3、PCB必须为六层板,可以滤掉杂波; 4、内存上必须有SPD,SPD一般由内存模组制造商写入,设定内存工作参数。 冽}赬縏Xp
  麨戛[)玊%o
 PC133 霡D褆~鰧
  IBM 和Reliance电子公司制定的一种内存芯片(或内存条)技术标准,其中的133指的是该内存工作频率可达133MHz。严格地说,PC133和 PC100内存在制造工艺上没有什么太大的不同,区别只是在制造PC133内存时多了一道"筛选"工序,把内存颗粒中外频超过133 MHz的挑选出来,焊接成高档一些的内存。 B6 g窞
  hy緲i
 Pin 3yR樦'蚠>
  Pin-针状引脚,内存金手指上的金属接触点。 啝罚F蠬樶
  憙醨*
 PLB 铏碰乲i
  PLB (Pipeline Burst Cache)-脉冲突发式缓存,PLB能使第一个脉冲到达处理器之前,四个数据一个接一个的连续传输中有顺序地读写。PLB常用于SRAM,制造计算机的一级和二级缓存。它分为同步与异步两种工作方式。 C擞惰`瑩
  怈芪阧
 PROM uxa'w赦
  PROM (Programmable Read-Only Memory)-可编程只读存储器,也叫One-Time Programmable (OTP)ROM,是一种可以用程序操作的只读内存。最主要特征是只允许数据写入一次,如果数据烧入错误只能报废。 人琫庖+#
  气婬躂
 RAM <G╭騻
  RAM (Random-Access Memory)-随机存取存储器,一种存储单元结构,用于保存CPU处理的数据信息。"随机"(Random)存取是与"顺序(serial)"存取相对而言的,意思是CPU可以从RAM中任意地址中直接读取所需的数据,而不必从头至尾一一查找。 禬>叛ab
  X1[飌X
 Rambus DRAM 聭`%殘
  Rambus DRAM原本是Intel强力推广的未来内存发展方向,其技术引入了RISC(精简指令集),依靠高时钟频率(目前有300MHz、350MHz和 400MHz三种规格)来简化每个时钟周期的数据量。因此其数据通道接口只有16bit(由两条8bit的数据通道组成),远低于SDRAM的 64bit,由于Rambus DRAM也是采用类似于DDR的双速率传输结构,同时利用时钟脉冲的上升与下降沿进行数据传输,因此在300MHz下的数据传输量可以达到300MHz× 16bit×2/8=1.2GB/s,400MHz时可达到1.6GB/s,目前主流的双通道PC800MHz RDRAM的数据传输量更是达到了3.2GB/s。相对于133MHz下的SDRAM的1.05GB/s,确实很有吸引力。 Rambus DRAM的认证机制也较为严格,其认证测试包括DirectRDRAM元件、RIMM模块、RIMM连接器和DirectRDRAM时钟发生器。以确保与 Intel的系统保持百分百的兼容。 鄂WY[J罸M
  ]媥n#蛄W
 RAS 昬
  RAS (Row Address Strobe)-行地址选通脉冲,在DRAM数据位中,用列地址和行地址的交叉点定位每个单元的存储地址。行地址的选通由RAS控制。 O<?糍-z
  i#戹破H
 Registered Memory 躅夨*箅
  Registered Memory-带寄存器的内存,带有寄存器(register)SDRAM内存条。寄存器可以的作用是:再次推动数据信号通过内存芯片,使内存条上能够焊接更多的芯片。带寄存器(Registered)的内存和不带缓存(unbuffered)的内存不能混用。能否使用带寄存器的内存是由电脑的内存控制器决定的。 ^秂U~o摐q
  q1u驷:-
 ROM 戝衬婈
  ROM (Read Only Memory)-只读存储器,掉电后数据不丢失的一种存储器,主要用来存放"固件"(Firmware)。主板、显卡、网卡上的BIOS就是一种ROM,因为他们程序和数据的变动概率都很低。 6桵>扳-
  q[込覬r
 SDRAM )潶樿GLr
  Synchronous DRAM同步动态内存。它与系统总线同步工作,避免了在系统总线对异步DRAM进行操作时同步所需的额外等待时间,可加快数据的传输速度。这是98年流行的一种同步动态内存。它提高读写速率的的基本原理是将CPU和RAM通过一个相同的时钟锁在一起,使得RAM和CPU能够共享一个钟周期,以相同的速度同步工作,从而解决了CPU和RAM之间的速度不匹配问题。 氃DTsH棎
  gMOAЗ°:
 SDRAM 8[敱v鏳瑠
  自从Pentium时代以来,SDRAM就开始了其不可动摇的霸主地位。这种主体结构一直延续至今。成为市场上无可争议的内存名称的代名词。台式机使用的SDRAM一般为168线的管脚接口,具有64bit的带宽,工作电压为3.3伏,目前最快的内存模块为5.5纳秒。由于其最初的标准是采用将内存与CPU进行同步频率刷新的工作方式,因此,基本上消除了等待时间,提高了系统整体性能。大家都知道CPU的核心频率=系统外部频率×倍频的方式。而内存就是工作在系统的外部频率下,最初的66MHz的外部工作频率严重地影响了系统整体的工作性能,芯片组厂商又陆续制订出100MHz、133MHz系统外频的工作标准。这样SDRAM内存也就有了66MHz(PC66)、100MHz (PC100)和133MHz(PC133)三种标准规格,另外CL值也是衡量内存的一个很重要的标准。某些内存厂商为了满足一些超频爱好者的需求还推出了PC150和PC166内存。 1k 懛下%M
  M*狑暯6徎
 SIMM * 虰岭籌
  Single-In-line-Menory-Modules,是我们经常用到的一种内存插槽,它是72线结构。如今的内存模块大部分是把若干个内存芯片颗粒集成在一小块电路板上,然后通过SIMM插槽与主板相连。 SIMM 舞S無騕哘
  Single-In-line-Menory-Modules,是我们经常用到的一种内存插槽,它是72线结构。如今的内存模块大部分是把若干个内存芯片颗粒集成在一小块电路板上,然后通过SIMM插槽与主板相连。SIMM(Single In-line Memory Modules),单边接触内存模组。是5X86及其较早的PC中常采用的内存接口方式。在486以前,多采用30针的SIMM接口,而在Pentuim 中更多的是72针的SIMM接口,或者与DIMM接口类型并存。人们通常把72线的SIMM类型内存模组直接称为72线内存。 u蓢=矹
   5承/励
 Sync SRAM x|景搰W炲
  Sync SRAM-同步静态随机存储器,其工作时钟与系统同步,Intel推出的430LX,430NX,430FX等支持奔腾的主板芯片组都支持它。但CPU速度大大提升后,该高速缓存被PB-SRAM取代。 蓼[|Y
  \k}&@a2f
 Tag RAM 唜q8薠
  在主板的Cache附近的一个用来存储高速缓存数据索引地址(Index Address)的RAM,其主要功能是辅助Cache、CPU、芯片组的沟通与存取寻址数据。 僣 P7=榏
  &хVc^po
 Tiny BGA #E X莆
  Tiny BGA(小型球栅阵列封装),Kingmax公司的一项专利技术,属于BGA内存封装技术的一个分支。其芯片面积与封装面积之比约为1:1.4。 ρθ>l
  萤.梑6=揳
 TOSP II G廀鷲v偢
  TOSP II(薄型小尺寸封装II),SDRAM内存最为常见的封装形式。但是,随着内存的速度和频率的不断提高,这种封装形式越来越不能满足需要。 ;7<瞾?/h8
  2g棅鬌
 TSOP 莖.钋緦N
  TSOP(Thin Small Out-Line Package)-薄型小尺寸封装,TSOP也是DRAM的一种封装形式,但它的封装厚度只有SOJ的三分之一。TSOP DRAM 被广泛运用于SODIMM和IC卡式内存。 哨-x凮`$R
  祥軕>xF悏
 Unbuffered Memory B侥柭
  Unbuffered Memory(不带缓存的内存),PCB上不带缓存(buffer)或寄存器(register)的内存条。 但是,使用这种内存的电脑主板上要带缓存或寄存器。 鉾 '劋m豎
  謚平祎"
 串行存在探测 ?鞴苹捇
  即,SPD(Serial Presence Detect)它是1个8针的SOIC封装(3mm*4mm)256字节的EEPROM (ElectricallyErasableProgrammableROM电可擦写可编程只读存储器)芯片。型号多为24LC01B,位置一般处在内存条正面的右侧,里面记录了诸如内存的速度、容量、电压与行、列地址带宽等参数信息。当开机时PC的BIOS将自动读取SPD中记录的信息,如果没有 SPD,就容易出现死机或致命错误的现象。它是识别PC100内存的一个重要标志。现在个别厂商一方面为了降低生产成本,另一方面又要从表面上迎合 PC100标准,就在PCB板上焊上一片空的SPD。这样就有可能导致在100MHz以上外频不能正常工作,还应该注意的是一些厂商出的主板(如 INTEL原装板)一定要BIOS检测到SPD中的数据才能正常工作,而对于使用假SPD的内存来说,就会有不兼容或死机的现象出现。 |)"陀
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 串行存在侦测 玆1,肬U
  串行存在侦测-SPD(Serial Presence Detect),SPD是一颗8针的EEPROM(Electrically Erasable Programmable ROM 电子可擦写程序式只读内存), 容量为256字节~2KB,里面主要保存了该内存的相关资料,如容量、芯片厂商、内存模组厂商、工作速度、是否具备ECC校验等。SPD的内容一般由内存模组制造商写入。支持SPD的主板在启动时自动检测SPD中的资料,并以此设定内存的工作参数。 \填1腠'f
  饜驓閪i
 磁盘阵列 GYs> 8掔K
  磁盘阵列(Disk Array)是由一个硬盘控制器来控制多个硬盘的相互连接,使多个硬盘的读写同步,减少错误,增加效率和可靠度的技术。 9繕c$
  觀OLOZ
 带宽 囒bE(
  每个时间单位可以传输或处理的数据量。 简单地说,带宽就象管道大小 - 管道越大,可以传输得越多。 螦肂鵣)
  2CgN 
 读写时序 h骠@K洚|
  内存在突发式(Burst)读取模式下一次可连续读取4组数据,其读取周期可以表示为X-Y-Y-Y。其中X表示读取第一组数据的时钟周期数,一般叫做Lead off time(通常时间比较长);Y表示后三组数据的读写时间周期。 7嬮妮揢
  漝J>秿
 服务器内存 1撱/v
  服务器是企业信息系统的核心,因此对内存的可靠性非常敏感。服务器上运行着企业的关键业务,内存错误可能造成服务器宕机并使数据永久丢失。服务器内存大多都带有Buffer(缓存器),Register(寄存器),ECC(错误纠正代码),具有普通PC内存所不具备的高性能、高兼容性和高可靠性。 +7|u護P<
  ( 襴`
 静态列 RW糑唒p
  DRAM加快数据输出的一种模式。当访问静态列(static-column)的数据时,DRAM不断地激活列输出缓冲区,以此来加速输出。但其缺点是当地址不连续时就会很慢,而且耗电量也比 FPM模式要高。 4<?樾!%A
  (汧鉠 @
 内存总线速度 膲.溹卙
  内存总线速度或者叫系统总路线速度,一般等同于CPU的外频。内存总线的速度对整个系统性能来说很重要,由于内存速度的发展滞后于CPU的发展速度,为了缓解内存带来的瓶颈,所以出现了二级缓存,来协调两者之间的差异,而内存总线速度就是指CPU与二级(L2)高速缓存和内存之间的工作频率。 X熼*1甚\w
  鳺!e瞸
 偶校验 >瞹j5
  Even Parity-偶校验,一种来检测数据完整性的方法。与奇校验相反,8个数据位与校验位加起来有偶数个1。具体参考Odd Parity奇校验。 般f鴲奖
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 奇校验 ^*" &橍
  Odd Parity(奇校验),校核数据完整性的一种方法,一个字节的8个数据位与校验位(parity bit )加起来之和有奇数个1。校验线路在收到数后,通过发生器在校验位填上0或1,以保证和是奇数个1。因此,校验位是0时,数据位中应该有奇数个1;而校验位是1时,数据位应该有偶数个1。如果读取数据时发现与此规则不符,CPU会下令重新传输数据。 L鷌k悒|
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 闪存 悒】堑腉QG
  闪存是采用一种新型的EEPROM内存(电可擦可写可编程只读内存),具有内存可擦可写可编程的优点,还具有写入的数据在断电后不会丢失的优点。所有被广泛应用用于数码相机,MP3,及移动存储设备。 櫩/0MO
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 随机访问内存 箄O轝妡ゞ
  随机访问内存(RAM)相当于PC机上的移动存储,用来存储和保存数据的。在任何时候都可以读写,RAM通常用作操作系统或其他正在运行的程序的临时存储介质(可称作系统内存)。不过,当电源关闭时时RAM不能保留数据,如果需要保存数据,就必须把它们写入到一个长期的存储器中(例如硬盘)。正因为如此,有时也将RAM称作"可变存储器"。RAM内存可以进一步分为静态RAM(SRAM)和动态内存(DRAM)两大类。 絃5^) 暆
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 信用卡内存 >*+嗥飿
  Credit Card Memory(信用卡内存),主要用于膝上型电脑和笔记本电脑的一种内存。其外型尺寸犹如一个信用卡,因此而得名。 蝍"M?t
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 虚拟信道内存 媆妅佑-#
  NEC 公司开发的一种改良的DRAM内存,数据传输率为133MHz。其原理是在现在的DRAM IC 中加入一个虚拟的SRAM作为Cache,以此来维护数据存取的稳定性。 VCM 使内存的不同区块(每块都有自己的缓存)能够分别和控制器对话。如此一来,系统的任务可以分配到它们各自的虚拟信道里面。同时运行的多个任务互相之间不会争用缓存,所以系统的整体效率就提高了。 4郯D%
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 只读内存 L}#鴡 z
  只读内存(ROM)相当于PC机上的硬盘,用来存储和保存数据的。ROM数据不能随意更新,但是在任何时候都可以读取。即使是断电,ROM也能够保留数据。
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  图片附件: [富豪 DDR 500 256m] 10.jpg (2005-9-4 14:28, 54.58 K) 冝飏S"朇s
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Intel发布了915/925芯片组把DDR2 SDRAM引入主流桌面平台,在此之前,DDR2技术在显卡上有很广泛的应用.现在的GDDR2和GDDR3都是基于DDR2技术的,但是DDR2 SDRAM依然属于DDR范畴,也就是在时钟信号的上升沿与下降沿传输数据。知道了这一点,我们也就不难明白DDR2的“老底”了。 :鱿鞒胆
     主要技术之----4-bit Prefetch 耤>8疙4
       4-bit Prefetch是DDR2提高带宽的关键技术。 2惆ɡ!餿
     现在的DRAM内部都采用4个bank的结构(DDR3会引入8 bank结构),每个bank由存储单元(cell)队列构成,存储单元队列通过行(row)和列(column)地址定位。让我们看看基本的内存读操作的工作流程:首先是命令和地址信息输入,经过地址解码器分解成bank(段)和Word(字)选择,Word选择就是行选择,之后是对存储单元进行再存储(Restore)和预充电(Precharge)。然后是Column(列)选择,到此为止存储单元(cell)已经被定位。存储单元的数据被输出到内部数据总线(Internal Data Bus),最后通过输出电路输出数据。(有很多人是不是要睡着了啊?这个prefetch就是文件预读取技术。前面的就是一个形容词而已限制修饰这个技术的,主要就是说“我很强”的意思。^_^,懂汇编的xdjm不要扁我啊。打个比方说就是在干每一件事之前他都作了很多准备的工作好加快工作进程,这是WINDOWS里的prefetch的含义。只不过电脑是个白痴,他不知道做准备应该为着某一件你要做的事开始准备,而是把所有可能的要做的工作都准备了。所以时间长了,积累很多没必要的赘余,所以机器就会变慢了,我就要清理windows下的prefetch文件下的文件了,来加快机器速度。DDR内存的prefetch技术就是提前读取数据,包括加电流程,可以使CPU可能用到的数据提前存入内存。这个4-bit表示DDR2她的提前速度比DDR的快。) @据 銋簤R
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     从内存的读操作中可以了解到内存工作的几个瓶颈,它们分别是内存单元的数据刷新的延时,这个延迟属于bank内部的延迟,由于DRAM采用电容存储结构的限制这个延迟本身不太好解决,因此只有想其它方法。还有内部数据总线的(Internal Data Bus)频率限制,内部数据总线是连接DRAM颗粒中4个bank的总线,最后一个DRAM的瓶颈是输入/输出电路的延迟。 rhn輏`貟
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     对于内部数据总线频率较低的瓶颈,可以通过使用Prefetch(数据预取)架构来解决,举例来说PC133 SDRAM采用了管线突发架构(Pipeline)或者说是1bit Prefetch,因此它内部数据总线的频率是133MHz和数据输出端的数据传输率是一样的。DDR内存采用了2bit Prefetch技术,因此它输出端的数据传输率是内部数据总线频率的2倍,以DDR266为例,它的内部数据总线的频率是133MHz,而输出端的数据传输率达到了266MHz。 h膉Y佚
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 我们知道DRAM内部存储单元的频率提高比较困难且成本较高,DDR333的核心频率已经达到了167MHz,为了解决外部数据传输率和核心速度之间的矛盾,DDR2采用了4bit Prefetch(数据预取架构),因此DDR2 533内部Cell(存储单元)的频率仅为133MHz,这要比DDR400的200MHz Cell频率还要低。也就是说引入DDR2,可以让内存频率提升回到一个新的起跑线。前面也说到了增强DRAM Cell单元的频率是比较困难的,只有通过这种并行运行的方式来增加内部带宽,结果就是DRAM输出频率增加,带宽也增加了。
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  图片附件: [Prefetch,数据预取结构示意图] prefetch.jpg (2005-9-4 15:21, 40.53 K) 蚡 M収
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__________________________________
一、ODT(On Die Termination): 窪Y獝滭
     DDR2核心内建的终结电阻器,可以为DRAM的DQ(数据线)提供终结电阻。我们知道数据信号的终点需要终结电阻器,不然信号到了电路的终点会反射回来引起严重的干扰。终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率,终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低;终结电阻高,则数据线的信噪比高,但是信号反射也会增加。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻,这样可以保证最佳的信号波形。DDR I内存的终结电阻器做在了主板上,一块支持DDR内存的主板上需要几百颗终结电阻,这增加主板的成本和设计难度。DDR II把电路的终结功能做在了核心中,这样主板上就无需终结电路,减化了主板设计,提高了高靠性。 +e袆 秾L
  篠砳玳鵴
 ps: 电流在到达电缆的末端的时候,如果是裸露的,是会返到出发端的。这不像我们想像的那样和水一样会乖乖流走。因为电子的运动是靠电势差(电压)运动的。不讲了,再讲该把高中物理书给你们搬出来了。那我们就加一个电阻,就好象海绵吸水一样把没用的电子吸收掉,这样有用的就不会被干扰了。 Z磤$R7扶榴
  [翃詪粳潜
     二、OCD(Off Chip Driver): 犵f刀z
     也就是所谓的离线(Off Chip)驱动校准,通过OCD来维持内存的最佳驱动性能。OCD允许通过芯片组(chips)实时发送命令来调整DRAM芯片的驱动方式。DDR2具有弹性的数据调整方式是通过离线驱动来实现的,分为dc和ac两种。dc可以调整系统环境的阻抗,ac可以调整延迟锁相环(DLL)的补偿。 qNE^褕#(
     蟾炉h
     ps:好的显卡,声卡需要驱动来更好的工作对吧?内存也需要,但是它是写在自己的芯片里的。 鵜S睄秦6
  R/A毢廋恽\
     三、posted CAS: p_0H
     它改变了以前对SDRAM延迟的理解。我们知道在SDRAM和DDR SDRAM的操作过程中存在许多延迟,如RAS到CAS的(行选择信号到列选择信号)的延迟tRCD(延迟也可称为潜伏周期)。在200MHz的频率下,tRCD延迟大约是20ns,这肯定会降低总线的利用效率。posted CAS命令通过使用附加延迟(additive latency)的概念来解决这个问题。简单说,设定整个读延迟为CAS延迟(CL)加上附加延迟,这样做的好处是能够使CAS命令紧接着RAS命令,tRCD被附加延迟取代。而DDR2的写延迟为读延迟周期减一个时钟周期,DDR2通过增加地址和命令的FIFO(先入先出)寄存器来实现posted CAS,通过寄存器保存CAS命令和地址一直到附加延迟结束。在DDR2段交错操作(bank-interleaving operation)时使用4bit突发模式来提高总线利用率。 @0糋鋙(
  }謨骣
  )d甫V胇
     ps:CPU的工作速度比内存快的太多了,你再“笨鸟先飞”你还是跟不上,怎么办,那就强制CPU你得等等。就像生产畅销货,订货的人太多,你要取货得有一个等待生产时间。你的生产时间就好比cas,加上你运货的时间就是ras,在加上你的某些因素耽误你的收发货物时间tRCD,就是取货总时间,也就是1个内存周期。DDR2把这个不稳定的因素强行规定成为一个固定的时间CL。
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  图片附件: 2.jpg (2005-9-4 15:54, 76.33 K) "l庵秬
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  图片附件: 3.jpg (2005-9-4 15:54, 66.86 K) ,#緐?鈎
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笔记本安全防护 2006-09-19 20:53
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在众多笔记本电脑保护设备中,一些设备的作用是防止笔记本电脑被偷的,而另一些则是为了如果发生最坏的情况,比如笔记本电脑落入不法分子手里,尽量保护失窃信息不会被别人看到的。 ev摙6'l4:
  QL渮yJ
 如果你..
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THINKPAD选购注意事项 2006-09-19 20:52
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一,对照IBM的装箱单核对包装箱内附件,这是验机器的第一步 <輾豰%CN鳛
  4?嶟H羘
   IBM随包装箱会放一张装箱单,这个东西现在一般机器都不带,没有多大用处,也难免香港人会把它扔掉,在他们..
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告诉你硬盘的N个秘密! 2006-09-19 20:51
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硬盘的主要技术指标 凢譬瀾垪0
  lw梉XD
 在我们平时选购硬盘时,经常会了解硬盘的一些参数,而且很多杂志的相关文章也对此进行了不少的解释。不过,很多情况下,这种介绍并不细致甚至会带有一些误导的成分。今天,我们就聊聊 砲8L
 这方面的话题,希望能对硬盘选购者提供应有的帮助。 轄鱊my;
  涭Q襟
 首先,我们来了解一下硬盘的内部结构,它将有助于理解本文的相关内容。 ]景籂暳 #
  艄举UY|t
 工作时,磁盘在中轴马达的带动下,高速旋转,而磁头臂在音圈马达的控制下,在磁盘上方进行径向的移动进行寻址 節X輑
  罼﹂5IO
 硬盘常见的技术指标有以下几种: 歁墡Z习閸M
  &览舷.
 1、 每分钟转速(RPM,Revolutions Per Minute):这一指标代表了硬盘主轴马达(带动磁盘)的转速,比如5400RPM就代表该硬盘中的主轴转速为每分钟5400转。 `/轀#2痱
  紷{_ 0y噅
 2、平均寻道时间(Average Seek Time):如果没有特殊说明一般指读取时的寻道时间,单位为ms(毫秒)。这一指标的含义是指硬盘接到读/写指令后到磁头移到指定的磁道(应该是柱面,但对于具体磁头来说就是磁道)上方所需要的平均时间。除了平均寻道时间外,还有道间寻道时间(Track to Track或Cylinder Switch Time)与全程寻道时间(Full Track或Full Stroke),前者是指磁头从当前磁道上方移至相邻磁道上方所需的时间,后者是指磁头从最外(或最内)圈磁道上方移至最内(或最外)圈磁道上方所需的时间,基本上比平均寻道时间多一倍。出于实际的工作情况,我们一般只关心平均寻道时间。 戂閜/ 7g
  _)X驠瓹鯖
 3、平均潜伏期(Average Latency):这一指标是指当磁头移动到指定磁道后,要等多长时间指定的读/写扇区会移动到磁头下方(盘片是旋转的),盘片转得越快,潜伏期越短。平均潜伏期是指磁盘转动半圈所用的时间。显然,同一转速的硬盘的平均潜伏期是固定的。7200RPM时约为4.167ms,5400RPM时约为 5.556ms。 竻F蓳 [鎜
  uDXoT_
 4、 平均访问时间(Average Access Time):又称平均存取时间,一般在厂商公布的规格中不会提供,这一般是测试成绩中的一项,其含义是指从读/写指令发出到第一笔数据读/写时所用的平均时间,包括了平均寻道时间、平均潜伏期与相关的内务操作时间(如指令处理),由于内务操作时间一般很短(一般在0.2ms左右),可忽略不计,所以平均访问时间可近似等于平均寻道时间+平均潜伏期,因而又称平均寻址时间。如果一个5400RPM硬盘的平均寻道时间是9ms,那么理论上它的平均访问时间就是 14.556ms。 莝VcI颾
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 5、 数据传输率(DTR ,Data Transfer Rate):单位为MB/s(兆字节每秒,又称MBPS)或Mbits/s(兆位每秒,又称Mbps)。DTR分为最大(Maximum)与持续(Sustained)两个指标,根据数据交接方的不同又分外部与内部数据传输率。内部DTR是指磁头与缓冲区之间的数据传输率,外部DTR是指缓冲区与主机(即内存)之间的数据传输率。外部DTR上限取决于硬盘的接口,目前流行的Ultra ATA-100接口即代表外部DTR最高理论值可达100MB/s,持续DTR则要看内部持续DTR的水平。内部DTR则是硬盘的真正数据传输能力,为充分发挥内部DTR,外部DTR理论值都会比内部DTR高,但内部DTR决定了外部DTR的实际表现。由于磁盘中最外圈的磁道最长,可以让磁头在单位时间内比内圈的磁道划过更多的扇区,所以磁头在最外圈时内部DTR最大,在最内圈时内部DTR最小。 k渮O{
  S驦謿眨'
 6、缓冲区容量(Buffer Size):很多人也称之为缓存(Cache)容量,单位为MB。在一些厂商资料中还被写作Cache Buffer。缓冲区的基本要作用是平衡内部与外部的DTR。为了减少主机的等待时间,硬盘会将读取的资料先存入缓冲区,等全部读完或缓冲区填满后再以接口速率快速向主机发送。随着技术的发展,厂商们后来为SCSI硬盘缓冲区增加了缓存功能(这也是为什么笔者仍然坚持说其是缓冲区的原因)。这主要体现在三个方面:预取(Prefetch),实验表明在典型情况下,至少50%的读取操作是连续读取。预取功能简单地说就是硬盘“私自”扩大读取范围,在缓冲区向主机发送指定扇区数据(即磁头已经读完指定扇区)之后,磁头接着读取相邻的若干个扇区数据并送入缓冲区,如果后面的读操作正好指向已预取的相邻扇区,即从缓冲区中读取而不用磁头再寻址,提高了访问速度。写缓存(Write Cache),通常情况下在写入操作时,也是先将数据写入缓冲区再发送到磁头,等磁头写入完毕后再报告主机写入完毕,主机才开始处理下一任务。具备写缓存的硬盘则在数据写入缓区后即向主机报告写入完毕,让主机提前“解放”处理其他事务(剩下的磁头写入操作主机不用等待),提高了整体效率。为了进一步提高效能,现在的厂商基本都应用了分段式缓存技术(Multiple Segment Cache),将缓冲区划分成多个小块,存储不同的写入数据,而不必为小数据浪费整个缓冲区空间,同时还可以等所有段写满后统一写入,性能更好。读缓存(Read Cache),将读取过的数据暂时保存在缓冲区中,如果主机再次需要时可直接从缓冲区提供,加快速度。读缓存同样也可以利用分段技术,存储多个互不相干的数据块,缓存多个已读数据,进一步提高缓存命中率。 Y獥鑐Z
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 这是我们经常能看到的硬盘参数指标,正确理解它们的含义无疑对选购是有帮助的 \踥
  蔎GC掊3
 7、噪音与温度(Noise & Temperature):这两个属于非性能指标。对于噪音,以前厂商们并不在意,但从2000年开始,出于市场的需要(比如OEM厂商希望生产更安静的电脑以增加卖点)厂商通过各种手段来降低硬盘的工作噪音,ATA-5规范第三版也加入了自动声学(噪音)管理子集(AAM,Automatic Acoustic Management),因此目前的所有新硬盘都支持AAM功能。硬盘的噪音主要来源于主轴马达与音圈马达,降噪也是从这两点入手(盘片的增多也会增加噪音,但这没有办法)。除了AAM外,厂商的努力在上文的厂商介绍中已经讲到,在此就不多说了。至于热量,其实每个厂商都有自己的标准,并声称硬盘的表现是他们预料之中的,完全在安全范围之内,没有问题。这一点倒的是不用担心,不过关键在于硬盘是机箱中的一个组成部分,它的高热会提高机箱的整体温度,也许硬盘本身没事,但可能周围的配件却经受不了,别的不说,如果是两个高热的硬盘安装得很紧密,那么它还能承受近乎于双倍的热量吗?所以硬盘的热量仍需厂商们注意。
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对硬盘认识的常见误区(一) 孯ざCPL榅
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 1、 转速与寻道时间: 56n輂隞V
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 现在不少人都认为硬盘转速越快寻道时间就越快,但这是最常见的错误认识,事实上寻道速度根本不决定于转速,因为两者的控制设备就不一样 7埫『F肽9
 。转速是由主轴马达控制,寻道则由音圈马达控制。寻道时间说白了就是体现了磁头臂径向运动的速度与控制能力,音圈马达与相应的伺服系统起着重要作用。另外,磁头的高灵敏度也有助于在高密度磁盘上准确捕获伺服标记,进而快速定位。很多情况下,我们都可以看到5400RPM硬盘的寻道时间与7200RPM硬盘一样(如三星的V40与P40)。之所以有些高速硬盘(如SCSI硬盘)的寻道时间更快,是因为厂商的有意设计,就好像一台Pentium4电脑只配 32MB内存让人觉得不平衡一样,厂商也会给高速硬盘配上更快的寻道时间(也意味着更好的元件与更高的成本,显然厂商要根据市场的需要权衡利弊)。实际上,通过上文有关平均访问时间的解释,大家应该明白,提高转速的主用意就是减少平均潜伏期,进而加快整体的访问速度,也许很多人不认同这是它最重要的用意,由此就又引出了下一个误区。 'tf0*
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 2、 转速与数据传输率: 筐驦囁庈O
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 在很多人的印象和厂商的宣传中,更高的转速的主要用意在于提高数据传输率,但这并不正确。持续数据传输率决定于很多指标,并不光只是转速。当然,有人会说转速更高,磁头单位时间划过的扇区就越多,不错,但前提是线密度一样。线密度可理解为每磁道扇区数(SPT,Sectors Per Track)。低速硬盘完全可以通过提高SPT来加大数据传输率, SCSI硬盘就是追求SPT的典型。事实上,很多厂商在相同单碟容量上对于不同的转速采用了不同的SPT设计,如金钻七的最外圈磁道扇区数为837个,而星钻三代则为896个。有人可能会问,那如何保证容量一致呢?这就涉及到每英寸磁道数(TPI,Tracks Per Inch),它代表了磁道密度。SPT高则TPI就会相应减少,如金钻七为60000TPI,星钻三代则是57000TPI。本次测试最典型的例子是 Caviar系列硬盘,WinBench测得的数据传输率与某些7200RPM产品相当。虽然我没有该系列硬盘最外圈SPT资料,但肯定不会低于1000 (若转速实为5400RPM),即使转速真的是6000RPM,也在900之上。因此5400RPM硬盘完全可以通过提高33%(7200RPM比 5400RPM转速高33%)的SPT来得到相同的数据传输率。 岈栕6;k侦
  Q-烺篏JY偊
 综上所述,7200RPM相对于5400RPM硬盘的最大优势就在于更短的平均潜伏期,进而减少平均访问时间。毕竟转速是死的,5400RPM永远处于劣势。 HFㄢ掶;N
  B,軵20烲
 3、 真正的内部数据传输率: h腥肃Pa
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 随着硬盘知识的普及,硬盘DTR这一指标也逐渐被人们所认识,但又出现了新的误区——拿以Mbps为单位的最高内部DTR说事,这其中某些厂商与所谓高手的误导有着不可推卸的责任,后果也是相当严重。由于内部DTR决定了硬盘的实际数据传输性能,所以很多人都在关心硬盘的内部DTR,而厂商也投其所好,在产品资料中基本都公布了最大内部传输率,但多是以Mbps为单位,不少人因此拿这个数值来预测硬盘的性能,甚至分析到接口速率的瓶颈(这些人通常将其换算成 MBPS,而目前最高的数值将近80MBPS,离Ultra ATA-100的最大速率已相差不远了)。但是,它恰恰不能通过除8来换算成MBPS,因为这个数值是磁头处理二进制0/1信号(即bit)的纯理论性能,而磁头处理的信号很大部分并不是用户需要的数据(存入的数据都是经过编码的,包含许多辅助信息),因此不能以字节为单位。很多硬盘这一数值都是相当高的,如以前的富士通硬盘,指标很好,但实际性能却是另一码事。完全可以说,这个Mbps值没有什么实际价值,给人的是一种假象。  /Q*3
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 在硬盘中,真正重要的是内部持续DTR,它分为单磁道瞬间DTR与持续DTR两个指标,单磁道瞬间DTR的计算公式是“512字节×SPT×磁盘每秒所转圈数”或“512字节×SPT÷磁盘转一圈所用时间”,由于磁盘转一圈所用时间一般不能除尽,所以经常用前一种公式。持续DTR的计算公式则为“512字节 ×SPT×磁头数/总耗时”,其中“总耗时=(磁头数-1)×磁头切换时间+道间寻道时间+磁头数×磁盘转一圈的时间”。磁头切换时间一般在产品的用户手册中有标注,大约在1ms左右。单磁道瞬间DTR表明了硬盘实际上所能达到的最大内部DTR,持续DTR则体现了硬盘真正的数据传输能力。很遗憾的是,目前只有迈拓和IBM提供了内部持续DTR数据,其他厂商仍然用Mbps数值迷惑普通大众。但是,厂商心里是明白的,他们自己也不会混淆概念(只是没事偷着乐),在数据的说法上也是非常严谨,如果你哪天发现厂商公布的内部DTR使用了MB/s为单位,那么这很可能就是我们所真正需要的数据,而不要再用 Mbps去除8了。 䦂;主dt
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 IBM 120GXP的技术资料,其中有两个内部DTR,我们只需关心第二个 8t%s揽駒
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 4、 缓冲区容量与性能: 鋑﨎﹚=
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 上文说过内部DTR决定了外部DTR的实际表现,但为了将内部DTR对外部DTR的影响降至最低,产生了缓冲区设计。理论上讲,缓冲区越大,即使内部DTR 不变,硬盘的性能也会更好,这就好比CPU中的缓存一样。不过,要做到缓冲区容量的增加并提高性能还是有一定难度的。这主要体现在缓存功能管理与数据安全两个方面。缓存功能管理决定了缓冲区智能化与缓存效果,简单的说就是一种管理算法与替换策略,负责这一任务的就是缓存控制器。上文已经讲到目前都将缓冲区做分段处理,并且是动态的,根据数据流情况自动划分。以120GXP为例,在读操作时可最多划分12个数据段(平均容量约155KB),在写操作时数据段可高达52个(平均容量约35KB)。那么怎么去动态的划分区段,怎么去选择最不常用的区段以替换成新的数据,都将影响最终的性能表现。比如区段划分不合理将影响缓冲区空间的利用率和预读效果,数据替换不合理将影响缓存命中率,这样一来说不定与小容量缓冲区性能差不多。讲到这,大家肯定会想到了CPU缓存的算法(比如N路级联与更新策略等),的确两者有相同之处。对于更大容量的缓冲区,肯定就不能照搬小容量缓冲区的缓存管理算法。因此,缓冲区越大性能越好是有前提的,这对厂商的缓存管理技术水平提出了更高的要求。 Ji$.X岺荏
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 大容量缓冲区的数据安全性主要是指在突然断电的情况下,缓冲区中的待写数据将如何处理的问题。这方面笔记本电脑硬盘就有了得天独厚的优势,因为有电池为后盾,笔记本电脑硬盘的缓冲区容量已经提升到了16MB。但对于台式机,这是个不小的考验。WD公司在这方面做出了有意义的探索,主要方法是通过将数据暂时保存在最外圈暂存区(因为最外圈的写入速度最快),下次开机再写入原目的地址的方法来保证缓冲区中待写数据的安全,显然这需要特殊的管理机制,也是厂商的自由发挥了。 ;R#zI3]7
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 最后我们再谈谈目前普遍流行的说法——大容量缓冲区对零散数据非常有利,这是很片面的认识。当然,这种说法可以理解,也没有什么根本性错误,但容易误导人们对大容量缓冲区的认识。从分段式缓存结构可以看出,更大的缓冲区理论上可以划分出更多的数据段,能容纳更多的互不相干的小数据块。而这种随机的、不连贯的、小数据量的读取行为在Web服务、数据库服务与日常办公应用中很常见。如在Web服务中,经常出现对一个网页同时有多个请求的情况,而一个网页的大小也就是几十到几百KB的容量,如果缓冲区能缓存更多的页面,那么服务器的表现也会越好。因此大容量缓冲区在这方面的贡献,我们完全肯定。但另一方面,对于大容量,连续读写的数据操作,大容量缓冲区同样能发挥重要的作用。更大的缓冲区此时意味可一次缓冲更多的数据(硬盘会根据数据量将区段合并),即能在相同的时间内向主机或磁头发送更多的数据,而磁头的连续读写扇区的能力更容易发挥。所以,在音频、视频处理等经常用到大数据量连续读写的场合,大容量缓冲区硬盘是最佳之选。在下面的测试中,大家也会发现8MB缓冲区硬盘相对于2MB缓冲区硬盘的整体优势。
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欢欢喜喜迎开学 2006-09-19 20:42
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文章来源:中国教育报 文章作者:中国教育报 时间:2006年8月30日9:25

    828,江苏省无锡市梁中小学的外来务工人员子女,兴高采烈地到校报到。目前,无锡市有超过九成的义务教育阶段农民工子女在公办学校就读,政府每年都设立专项经费,支持学校为特困农民工子女减免杂费、书本费。

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福娃伴我迎奥运 2006-09-19 20:41
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文章来源:中国教育报 文章作者:- 时间:2006年9月6日8:44

    9月1日清晨,在北京市第56中学开学典礼上,张莹(右一)同学得到了一个福娃。该校为了鼓励上学期每天坚持跑800米的学生,授予他们“迎奥先锋”称号,并每人奖励一个福娃。这项“福娃伴我迎奥运”活动,学校要坚持开展5学期。本报记者 鲍效农 摄

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村娃喜搬新校舍 2006-09-19 20:40
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文章来源:中国教育报 文章作者:- 时间:2006年9月14日8:15

    新学期伊始,安徽省含山县环峰镇桥联村200名村娃告别旧校危房、背上新书包,高高兴兴地搬进崭新的希望小学。该希望小学由安徽移动公司捐资20万元兴建,在学校落成当天,该公司还向学校捐赠了价值10万元的电脑、课桌、图书和学习用具等物品。程千俊摄

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市初中语文新教师教学常规培训在张渚二中举行 2006-09-19 20:40
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文章来源:张渚二中 文章作者:刘俊 时间:2006年9月18日8:13

    9月14日,市初中语文新教师教学常规培训在张渚二中举行。培训由市语文教研员许建祥主持。

    来自全市的8名新教师首先认真倾听了三位优秀教师不同风格的示范课,然后他们对这三位教师的上课的导入到教学流程的设计、多媒体的恰当运用等诸方面进行了评课。最后许教研从教案的编写、课堂教学要求、怎样驾驭课堂三方面进行了阐述,并指出作为教师为人师表的重要性,教师人性、人格、人品对驾驭课堂的深刻影响,许教研还特别表扬了实验中学姚秋芸老师在授课过程中表现出的亲和力、外国语徐旭老师课堂教学的认真负责的态度。同时还要求新教师们在课堂教学中处理好预设和生成的关系,虚心学习,争取早日成为合格的老师。许教研的指导让大家受益匪浅。新教师一致反映,力争在今后的教学实践中加强锻炼,不断提高自己的教学水平,尽快成长为一名合格的语文教师。

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